Η πρώτη γραμμή παραγωγής Wafer GaN 8 ιντσών της Samsung αναμένεται να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή από το δεύτερο τρίμηνο

Σύμφωνα με μια αναφορά του νοτιοκορεατικού μέσου The Elec, η πρώτη γραμμή παραγωγής γκοφρέτας νιτριδίου γαλλίου (GaN) 8 ιντσών της Samsung αναμένεται να εισέλθει σε μαζική παραγωγή ήδη από το δεύτερο τρίμηνο του 2026, με τα αρχικά έσοδα να αναμένεται να παραμείνουν κάτω από 100 δισεκατομμύρια γουόν.

Η έκθεση σημειώνει ότι η Samsung έχει δημιουργήσει ένα ολοκληρωμένο οικοσύστημα λύσεων GaN που καλύπτει τα πάντα εκτός από τη σχεδίαση τσιπ και διαθέτει τη δυνατότητα να παράγει ανεξάρτητα επιταξιακές γκοφρέτες GaN.

Επιπλέον, η Samsung σχεδιάζει να ξεκινήσει εργασίες για τη γραμμή χυτηρίου ημιαγωγών ηλεκτρικής ενέργειας καρβιδίου του πυριτίου (SiC) εντός του τρέχοντος έτους.Η εταιρεία διαθέτει δυνατότητες από άκρο σε άκρο στο τμήμα SiC, συμπεριλαμβανομένου του σχεδιασμού, που μπορεί να συμπληρώσει την τεχνολογία GaN σε διαφορετικά εύρη τάσης.

Προηγούμενες αναφορές αποκάλυψαν επίσης ότι η Samsung έχει επενδύσει περίπου 100 έως 200 δισεκατομμύρια γουόν σε προηγμένο εξοπλισμό διεργασιών, συμπεριλαμβανομένων των συστημάτων MOCVD της Aixtron, για να υποστηρίξει την επεξεργασία γκοφρετών πυριτίου-γαλλίου και νιτριδίου του γαλλίου.