Wafer and CoWoS Driven, Huang Renxun: Η χωρητικότητα TSMC θα διπλασιαστεί την επόμενη δεκαετία

Πρόσφατα, ο Διευθύνων Σύμβουλος της NVIDIA, Jensen Huang, δήλωσε ότι η εταιρεία είναι επί του παρόντος πλήρως αφοσιωμένη στην παραγωγή Grace Blackwell, ενώ παράλληλα παράγει μαζικά το Vera Rubin.Το Vera Rubin αποτελείται από έξι ξεχωριστά τσιπ, το καθένα αντιπροσωπεύει την πιο προηγμένη τεχνολογία στον κόσμο.

Λαμβάνοντας υπόψη τις απαιτήσεις προσφοράς για αυτά τα τσιπ τεχνητής νοημοσύνης αιχμής, ο Huang τόνισε ότι η TSMC πρέπει να εργαστεί εξαιρετικά σκληρά φέτος, καθώς η NVIDIA απαιτεί σημαντική χωρητικότητα wafer και CoWoS.

Ο Huang σημείωσε περαιτέρω ότι η χωρητικότητα της TSMC είναι πιθανό να ξεπεράσει το 100% την επόμενη δεκαετία.Η παραγωγή θα διανεμηθεί σε εγκαταστάσεις στις Ηνωμένες Πολιτείες, την Ευρώπη, την Ιαπωνία και την Ταϊβάν.

Με γνώμονα την τεχνητή νοημοσύνη και τα τσιπ υπολογιστών υψηλής απόδοσης (HPC), οι προηγμένοι κόμβοι διεργασιών και οι προηγμένες τεχνολογίες συσκευασίας είναι σε έλλειψη.

Η πιο πρόσφατη προηγμένη διαδικασία της TSMC —2nm (N2)— ξεκίνησε τη μαζική παραγωγή το 4ο τρίμηνο του 2025. Χρησιμοποιώντας την αρχιτεκτονική τρανζίστορ Gate-All-Around (GAA) πρώτης γενιάς, προσφέρει 10%-15% ενίσχυση απόδοσης σε ισοδύναμη κατανάλωση ενέργειας σε σύγκριση με την προηγούμενης γενιάς 3nm/3Enm Enhanced (N3Enm).Αντίθετα, επιτυγχάνει 25%-30% μείωση στην κατανάλωση ισχύος με ισοδύναμη απόδοση ενώ αυξάνει την πυκνότητα του τρανζίστορ κατά περίπου 20%.

Το Fab 20 της TSMC στο Baoshan και το Fab 22 στο Kaohsiung της Ταϊβάν, χρησιμεύουν ως οι αρχικές εγκαταστάσεις παραγωγής για τη διαδικασία των 2 nm.Η χωρητικότητα και στις δύο εγκαταστάσεις για το 2026 έχει δεσμευτεί πλήρως.Η TSMC σχεδιάζει επίσης να κατασκευάσει ένα νέο fab 2nm στο Επιστημονικό Πάρκο Hsinchu και να υιοθετήσει τεχνολογίες επεξεργασίας 2nm και A16 στο τρίτο εργοστάσιό της στην Αριζόνα των ΗΠΑ, με τη μαζική παραγωγή να αναμένεται να ξεκινήσει το 2028.

Επιπλέον, η TSMC σκοπεύει να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή της βελτιωμένης παραλλαγής απόδοσης 2 nm (N2P) το δεύτερο εξάμηνο του 2026. Η εταιρεία θα προωθήσει επίσης την Ε&Α για τη διαδικασία 1,4 nm επόμενης γενιάς, στοχεύοντας σε δοκιμές παραγωγής κινδύνου το 2027 και σταδιακή μαζική παραγωγή από το 2028.

Σε προηγμένες συσκευασίες, η τεχνολογία CoWoS αντιπροσωπεύει το βασικό ανταγωνιστικό πλεονέκτημα της TSMC.Οι παγκόσμιοι κατασκευαστές τσιπ AI βασίζονται σε μεγάλο βαθμό στη χωρητικότητα του CoWoS, με την τεχνολογία αυτή να χρησιμοποιείται ευρέως σε τσιπ εκπαίδευσης τεχνητής νοημοσύνης και συμπερασμάτων από εταιρείες όπως η NVIDIA, η AMD, η Google και η Amazon για την υποστήριξη μεγάλης κλίμακας εκπαίδευσης μοντέλων και απαιτήσεων υπολογιστών υψηλής απόδοσης.

Δεδομένης της συνεχιζόμενης έλλειψης χωρητικότητας CoWoS, ο κλάδος αναμένει ότι η TSMC θα επαναχρησιμοποιήσει σταδιακά τα υπάρχοντα fabs 8 ιντσών στην Ταϊβάν σε προηγμένες εγκαταστάσεις συσκευασίας.Ταυτόχρονα, οι υπό κατασκευή προηγμένες μονάδες συσκευασίας θα δώσουν προτεραιότητα στην επέκταση της χωρητικότητας CoWoS ως πρωταρχικό τους στόχο.Πέρα από το ήδη λειτουργικό AP5B στο Central Taiwan Science Park και AP6 στο Zhunan, εγκαταστάσεις όπως το AP8 στο Southern Taiwan Science Park και το AP7 στο Chiayi ετοιμάζονται να επεκτείνουν τη χωρητικότητα CoWoS για να ανταποκριθούν περαιτέρω στη ζήτηση της αγοράς.