My Request:0Part

Σπίτι > Νέα > Η Samsung προωθεί τη στρατηγική του ανώτερου κενού: τη δημιουργία μιας ειδικής ομάδας μνήμης flash

Η Samsung προωθεί τη στρατηγική του ανώτερου κενού: τη δημιουργία μιας ειδικής ομάδας μνήμης flash

Σύμφωνα με τα κορεατικά μέσα ενημέρωσης, η Samsung Electronics έχει αρχίσει να εφαρμόζει τη λεγόμενη στρατηγική "Super Gap" για την παγκόσμια βιομηχανία μνήμης flash NAND. Αναφέρεται ότι η Samsung Electronics έχει δημιουργήσει μια ειδική ομάδα εργασίας για να βελτιώσει το ανταγωνιστικό πλεονέκτημα της τεχνολογίας 3D NAND της έκτης γενιάς 128 επιπέδων.

Αν και η Samsung Electronics ήταν η πρώτη που κέρδισε τον ανταγωνισμό στην αγορά μνήμης flash NAND 128 επιπέδων, η εταιρεία εξακολουθεί να εργάζεται σκληρά για να βελτιώσει την απόδοση του προϊόντος.

Είναι κατανοητό ότι τα μέλη αυτής της ειδικής ομάδας εργασίας περιλαμβάνουν το Samsung Technology Solutions (SDS) Manufacturing Technology Center και τα στελέχη και τους υπαλλήλους του τμήματος που είναι υπεύθυνοι για την παραγωγή μνήμης flash NAND. Η βιομηχανία πιστεύει ότι ο λόγος για τον οποίο η Samsung Electronics δημιούργησε μια τέτοια ομάδα εργασίας αποτελούμενη από βασικό προσωπικό για να συμμετάσχει στην παραγωγή μνήμης flash NAND είναι η αύξηση της παραγωγής της μνήμης flash NAND 6ης γενιάς όσο το δυνατόν περισσότερο.

Παρόλο που η Samsung Electronics έχει κυριαρχήσει στην παγκόσμια αγορά μνήμης flash NAND και έχει μερίδιο αγοράς άνω του 30%, ανταγωνιστές όπως η Changjiang Storage και η Intel ξεκίνησαν πρόσφατα τα δικά τους 100+ επίπεδα μνήμης flash NAND, οπότε αυτός ο κορεάτης κατασκευαστής τσιπ Ο έμπορος επιδιώκει να εφαρμόστε τη στρατηγική "Super Gap".

Αναφέρεται επίσης ότι η Samsung αναμένεται να ολοκληρώσει την ανάπτυξη και παραγωγή 160 ή περισσότερων στρωμάτων τσιπ στο εγγύς μέλλον.