Γεια σου επισκέπτης

Συνδεθείτε / Κανω ΕΓΓΡΑΦΗ
Ελλάδα
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolski繁体中文SuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ:Info@YIC-Electronics.com
Σπίτι > Νέα > Η SK Hynix αναπτύσσει τη διαδικασία AIP για την αντιμετώπιση των σημείων συμφόρησης παραγωγής σε 300+ επίπεδα NAND

Η SK Hynix αναπτύσσει τη διαδικασία AIP για την αντιμετώπιση των σημείων συμφόρησης παραγωγής σε 300+ επίπεδα NAND

SK Hynix

Σύμφωνα με το νοτιοκορεατικό μέσο ενημέρωσης zdnet.co.kr, η SK Hynix, ένας σημαντικός κατασκευαστής τσιπ μνήμης στη Νότια Κορέα, αναπτύσσει μια τεχνολογία διαδικασίας επόμενης γενιάς που ονομάζεται AIP (All-In-Plug).Ο στόχος είναι η επίτευξη υψηλής στοίβαξης NAND Flash με πάνω από 300 επίπεδα, μειώνοντας παράλληλα σημαντικά το κόστος κατασκευής.

Η τρέχουσα παραγωγή NAND Flash απαιτεί πολλαπλά κρίσιμα βήματα χάραξης.Ωστόσο, καθώς τα στρώματα στοίβαξης ξεπερνούν τα 300, το κόστος κατασκευής και η πολυπλοκότητα της διαδικασίας κλιμακώνονται δραματικά.Η τεχνολογία AIP εστιάζει στη διαδικασία χάραξης της Επαφής Υψηλού Λόγου Διαστάσεων (HARC)—ένα βασικό βήμα στην κατασκευή NAND Flash.Με την ενσωμάτωση πολλαπλών σταδίων διεργασίας και την εξάλειψη των περιττών σταδίων, στοχεύει στη διατήρηση της βιωσιμότητας της διαδικασίας, ενώ παράλληλα μειώνει το κόστος παραγωγής και βελτιώνει την απόδοση της απόδοσης.

Εάν η τεχνολογία AIP εισαχθεί επιτυχώς στη μαζική παραγωγή, αναμένεται να μειωθεί σημαντικά ο αριθμός των βημάτων χάραξης ξεκινώντας με το NAND Flash επόμενης γενιάς όπως το V11, δημιουργώντας μια πιο οικονομική βάση κατασκευής για τσιπ μνήμης με υψηλότερα στρώματα στοίβαξης.

Ο Αντιπρόεδρος της SK Hynix, Lee Sunghoon, τόνισε στην κεντρική του ομιλία στο SEMICON Korea 2026 ότι καθώς η πολυπλοκότητα της διαδικασίας ημιαγωγών συνεχίζει να κλιμακώνεται, η στήριξη σε τεχνολογίες παλαιού τύπου δεν μπορεί πλέον να διατηρήσει τη μελλοντική ανάπτυξη.Κατά συνέπεια, η SK Hynix δημιουργεί μια προβλέψιμη πλατφόρμα τεχνολογίας διεργασιών επόμενης γενιάς, ενώ ταυτόχρονα αξιολογεί βασικές τεχνολογίες για την επόμενη γενιά DRAM και NAND.

Ο Lee Sunghoon δήλωσε ότι ένας βασικός παράγοντας που οδηγεί στην αύξηση του κόστους του NAND Flash υψηλής μέτρησης είναι η αύξηση στα βήματα της διαδικασίας χάραξης.Η ενσωμάτωση πολλαπλών βημάτων σε μια ενιαία διαδικασία είναι πλέον μια κρίσιμη τεχνική πρόκληση για την εταιρεία.