2019 Q2 Η Hynix θα παράγει μνήμη διεργασίας 10nm δεύτερης γενιάς

  Η SK hynix αποκάλυψε πρόσφατα ότι η εταιρεία θα αυξήσει την παραγωγή DRAM της πρώτης γενιάς των 10 νανομέτρων (δηλ. 1Χ nm) και θα ξεκινήσει να πωλεί τη δεύτερη τεχνολογία κατασκευής 10 νανομέτρων (γνωστή και ως 1Y nm) στο δεύτερο εξάμηνο έτος. Μνήμη. Η επιτάχυνση της μετάβασης στην τεχνολογία 10nm θα επιτρέψει στην εταιρεία να αυξήσει την έξοδο DRAM, μειώνοντας τελικά το κόστος και προετοιμάζοντας τη μνήμη επόμενης γενιάς.

Τα πρώτα προϊόντα που κατασκευάζονται με την τεχνολογία παραγωγής SK Hynix 1Y nm θα είναι το τσιπ μνήμης DDR4-3200 8Gb DDR4-3200. Ο κατασκευαστής λέει ότι μπορεί να μειώσει κατά 20% το μέγεθος τσιπ των συσκευών DDR4 8Gb και να μειώσει την κατανάλωση ενέργειας κατά 15% σε σύγκριση με παρόμοιες συσκευές κατασκευασμένες με την τεχνολογία κατασκευής 1Χ nm. Επιπλέον, το επερχόμενο chip της SK Hynix DDR4-3200 της SK hynix έχει δύο σημαντικές βελτιώσεις: ένα σύστημα ρολογιού 4 φάσεων και τεχνολογία ελέγχου ενισχυτή Sense.

Παρόλο που αυτές οι τεχνολογίες είναι σημαντικές ακόμη και για το DDR4 αυτό το έτος, λέγεται ότι η SK hynix θα χρησιμοποιήσει τη διαδικασία κατασκευής της σε 1N nm για την κατασκευή DRAM DDR5, LPDDR5 και GDDR6. Ως εκ τούτου, η Hynix πρέπει να αναβαθμίσει την τεχνολογία κατασκευής δεύτερης γενιάς των 10 νανομέτρων το συντομότερο δυνατό για να προετοιμαστεί για το μέλλον.