Hello Guest

Sign In / Register
Ελλάδα
EnglishDeutschItaliaFrançais한국의русскийSvenskaNederlandespañolPortuguêspolskiSuomiGaeilgeSlovenskáSlovenijaČeštinaMelayuMagyarországHrvatskaDanskromânescIndonesiaΕλλάδαБългарски езикGalegolietuviųMaoriRepublika e ShqipërisëالعربيةአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskeraБеларусьLëtzebuergeschAyitiAfrikaansBosnaíslenskaCambodiaမြန်မာМонголулсМакедонскиmalaɡasʲພາສາລາວKurdîსაქართველოIsiXhosaفارسیisiZuluPilipinoසිංහලTürk diliTiếng ViệtहिंदीТоҷикӣاردوภาษาไทยO'zbekKongeriketবাংলা ভাষারChicheŵaSamoaSesothoCрпскиKiswahiliУкраїнаनेपालीעִבְרִיתپښتوКыргыз тилиҚазақшаCatalàCorsaLatviešuHausaગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaमराठी
Σπίτι > Blog > ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ Μινιατούρα: Απόδοση, Ισχύς και Αξιοπιστία

ΚΑΤΑΣΚΕΥΗ ΚΑΙ Μινιατούρα: Απόδοση, Ισχύς και Αξιοπιστία

Η τεχνολογία CMOS λειτουργεί ως δυναμικός καταλύτης στον ταχέως μεταβαλλόμενο κόσμο της σύγχρονης ηλεκτρονικής, αναπνευστικής ζωτικότητας σε συσκευές όπως smartphones και φορητούς υπολογιστές.Η ικανότητά του να παρέχει εξαιρετικές επιδόσεις παράλληλα με ενεργειακά αποδοτικές λύσεις έχει επεκτείνει την απόλαυση και τη λειτουργικότητα αυτών των αγαπημένων εργαλείων.Αυτές οι τεχνολογικές εξελίξεις, ωστόσο, δεν έρχονται χωρίς τα δικά τους εμπόδια.Η συνεχής προσπάθεια για τη μείωση του μεγέθους του τρανζίστορ παρουσιάζει δυσκολίες στη διατήρηση τόσο της απόδοσης όσο και της αξιοπιστίας.Αυτή η μινιατούρα εισάγει πρόσθετη πολυπλοκότητα στις συσκευές, απαιτώντας την εφευρετικότητα και την ικανότητα έμπειρων από εκείνους που σχεδιάζουν και αναπτύσσουν αυτά τα εξελιγμένα συστήματα.

Κατάλογος

1. Μοντέλα συσκευών εξευγενισμού
2. Εξέλιξη της κλιμάκωσης της τεχνολογίας
3. Αυξητοποίηση τεχνικών τάσης τροφοδοσίας
4. Επίδραση της στοίβαξης του τρανζίστορ
5. Ρυθμίσεις πάχους οξειδίου πύλης
6. Εξερευνώντας τα υψηλά διηλεκτρικά για την ενίσχυση της απόδοσης του τρανζίστορ
7.
8. Διανομή ρολογιού

Μοντέλα συσκευών διύλισης

Η επίτευξη εξαιρετικών αποτελεσμάτων σχεδιασμού εξαρτάται από την ακρίβεια και το εύρος των μοντέλων συσκευών που αντιπροσωπεύουν πολλές διαδικασίες και συνθήκες.Η ενσωμάτωση καινοτόμων υλικών, όπως οι διηλεκτρικές και οι μεταλλικές πύλες υψηλού Κ, σε συμβατικές δομές CMOS εμπλουτίζουν αυτά τα μοντέλα προσφέροντας βελτιωμένες ηλεκτρικές ιδιότητες.Αυτή η ενσωμάτωση ενθαρρύνει τις εφευρετικές τεχνικές σχεδιασμού.Η μετάβαση στη χρήση αυτών των νέων υλικών παίζει ένα διαμορφωτικό ρόλο στα εξελισσόμενα μοντέλα συσκευών, δείχνοντας υπόσχεση για ελαχιστοποιημένα ρεύματα διαρροής και ανώτερο δυναμικό για αυξημένο ρεύμα κίνησης.Τέτοιες εξελίξεις διεγείρουν την ανταγωνιστική ανάπτυξη του σχεδιασμού μέσα στα σύγχρονα τοπία της τεχνολογίας.Οι βετεράνοι της βιομηχανίας αναγνωρίζουν ότι η βαθιά κατανόηση αυτών των υλικών περιλαμβάνει διεξοδικούς κύκλους δοκιμών και βαθμονόμησης μοντέλου για να αντικατοπτρίζει αξιόπιστα τις περίπλοκες συμπεριφορές και τις αλληλεπιδράσεις στις συσκευές.

Εξέλιξη της κλιμάκωσης της τεχνολογίας

Ο μετασχηματισμός στην κλιμάκωση των CMOS έχει καταλυθεί με πολύπλοκες καινοτομίες εντός της ηλεκτρονικής βιομηχανίας, διευκολύνοντας την απρόσκοπτη και ευέλικτη πρόοδο στην ολοκλήρωση.Η επιδίωξη των επιταχυνόμενων επιδόσεων παράλληλα με την αυξημένη πυκνότητα ενσωμάτωσης οδηγεί σε έντονη εστίαση στην ακρίβεια των παραμέτρων της συσκευής κλιμάκωσης.Αυτή η λεπτομερής ρύθμιση περιλαμβάνει στοιχεία όπως ανάλυση λιθογραφίας, αποτελεσματικό μήκος καναλιού, πάχος διηλεκτρικού πύλης, τάση τροφοδοσίας και συμπεριφορές διαρροής συσκευών.Καθώς το μήκος του καναλιού μιας συσκευής CMOS μειώνεται, η απόδοση των επιδόσεων και η χρήση ενέργειας ανά μετάβαση μειώνονται σημαντικά, συμβάλλοντας στην ενισχυμένη απόδοση και τη συμπαγής.

Trends in power supply voltage Vdd, threshold voltage Vth, and gate oxide thickness tox relative to CMOS device channel length

Εικόνα 1. Τάσεις στην τάση τροφοδοσίας VDD, τάση κατωφλίου VTH και πάχος οξειδίου της πύλης σε σχέση με το μήκος του καναλιού συσκευής CMOS

Επιπτώσεις της κλιμάκωσης στην απόδοση του κυκλώματος

Η επίτευξη ανώτερων μικροεπεξεργαστών και η απόδοση της μνήμης ενισχύονται από σημαντικές εξελίξεις κλιμάκωσης του τρανζίστορ:

- Οι κόμβοι CMOS IC υφίστανται μείωση κατά 30% στην κλιμάκωση, μειώνοντας την καθυστέρηση της πύλης κατά περίπου 30% και έτσι αυξάνοντας τη μέγιστη συχνότητα ρολογιού κατά 43%.

- Η πυκνότητα της συσκευής παρουσιάζει διπλασιασμό.

- Η παρασιτική χωρητικότητα μειώνεται κατά 30% λόγω των μεθοδολογιών κλιμάκωσης.

- Η ενέργεια και η ενεργή ισχύς ανά μετάβαση μειώνονται κατά 65% και 50% αντίστοιχα.

Trends in CMOS performance, power density, and circuit density

Εικόνα 2. Τάσεις σε απόδοση CMOS, πυκνότητα ισχύος και πυκνότητα κυκλώματος

Επίδραση της κλιμάκωσης στη διάχυση της ισχύος

Στις συσκευές CMOS, τα δυναμικά ρεύματα ισχύος και διαρροής εμφανίζονται ως σημαντικές πηγές κατανάλωσης ενέργειας.Η μείωση της τάσης κατωφλίου, που οδηγείται από την προηγμένη κλιμάκωση της τεχνολογίας, τονίζει τη σημασία της κατανάλωσης ισχύος διαρροής.Η θερμοκρασία διαδραματίζει έναν πιο σημαντικό ρόλο στην επίπτωση της ισχύος διαρροής σε σύγκριση με τη χρήση της ενεργού ισχύος, με αποτέλεσμα σημαντική αύξηση της ισχύος διαρροής.

Η παρακάτω απεικόνιση περιγράφει τη δυναμική μεταξύ της κατανάλωσης δυναμικής έναντι της διαρροής, με το σύμφωνο να συμβολίζει τη δυναμική ισχύ και το PEAK να σημαίνει ισχύ διαρροής.

Active and leakage power dynamics for a constant die size

Εικόνα 3. Δυναμική ισχύος ενεργού και διαρροής για σταθερό μέγεθος μήτρας

Η κλιμάκωση και η επίδρασή της στην αξιοπιστία

Η ώθηση για τη μείωση της τάσης τροφοδοσίας σε κλιμακωτές τεχνολογίες περιλαμβάνει την ανάγκη ανακούφισης των εσωτερικών ηλεκτρικών πεδίων εντός των συσκευών, ενώ παράλληλα μειώνουν την ενεργό κατανάλωση ενέργειας.Λόγω της σχέσης όπου η ενεργός ισχύς είναι ανάλογη με το VDD2, η μείωση του VDD συνεπάγεται τις απαραίτητες προσαρμογές στο VTH για την παροχή του επιθυμητού ρεύματος αποστράγγισης ρεύματος για βέλτιστη λειτουργικότητα.Ωστόσο, ένα μειωμένο VTH αυξάνει το ρεύμα διαρροής εκτός κατάστασης, παρουσιάζοντας εμπόδια για τεχνολογίες με νανομέμετρο.

Οι εξέχουσες μακροπρόθεσμες ανησυχίες για την αξιοπιστία περιλαμβάνουν την εξαρτώμενη από το χρόνο διηλεκτρική κατανομή (TDDB) των διηλεκτρικών πύλης, την έγχυση ζεστού φορέα (HCI), την αστάθεια θερμοκρασίας αρνητικής μεροληψίας (NBTI), την ηλεκτρομαγνητική μετανάστευση (EM) και την ακύρωση που προκαλείται από το στρες (SIV).Για τρεις δεκαετίες, η πολύπλοκη φυσική, ο χαρακτηρισμός και η λεπτομερής μοντελοποίηση αυτών των φαινομένων ήταν κεντρικά για τις προσπάθειες έρευνας.

Ανύψωση τεχνικών τάσης τροφοδοσίας

Η διερεύνηση μεθόδων για την βελτίωση της τάσης τροφοδοσίας αποκαλύπτει μια συναρπαστική στρατηγική που ενισχύει την αποτελεσματικότητα επηρεάζοντας σημαντικά την κατανάλωση ενέργειας.Με τη συνειδητή μείωση της τάσης τροφοδοσίας, παρατηρείται μια αντιληπτή τετραγωνική μείωση στην ισχύ μεταγωγής, προσφέροντας ένα στρατηγικό πλεονέκτημα στη βελτιστοποίηση ισχύος.Αυτή η προσέγγιση αντιμετωπίζει επίσης τα ρεύματα διαρροής, μειώνοντας αποτελεσματικά την επίδραση της επαγόμενης από την αποχέτευση (DIBL)-μια περιοχή εστίασης στα σύγχρονα ηλεκτρονικά.

Gate Oxide Leakage Current Versus Power Supply

Εικόνα 4. Ρεύμα διαρροής οξειδίου πύλης έναντι τροφοδοσίας

Μεταβολές στην κλιμάκωση της τάσης τροφοδοσίας

Προσαρμοσμένες στατικές ρυθμίσεις

Η στατική κλιμάκωση της τάσης τροφοδοσίας περιλαμβάνει προκαθορισμένα τσιμπήματα προσαρμοσμένα για συγκεκριμένες διαδρομές κυκλώματος ή εξαρτήματα.Αυτή η τεχνική αποδεικνύεται επωφελής για τις εργασίες με σταθερές ανάγκες ισχύος, καθώς επιτρέπει την με ακρίβεια την προσφορά τάσης ώστε να ταιριάζει με διαφορετικές ενεργειακές απαιτήσεις.Με τη χρήση προκαθορισμένων ρυθμίσεων τάσης, η χρήση ενέργειας βελτιστοποιείται ενώ διατηρεί την αξιοπιστία του συστήματος, ιδιαίτερα ελκυστική για τους μηχανικούς που επικεντρώνονται σε σταθερές επιδόσεις, αλλά επιθυμούν αυξημένη ενεργειακή απόδοση.Αυτός ο υπολογισμός των προσαρμογών φέρνει μια λεπτή ικανοποίηση παρόμοια με την επίτευξη σαφώς καθορισμένων ενεργειακών στόχων.

Ανταποκρινόμενες δυναμικές προσαρμογές

Η δυναμική κλιμάκωση τάσης τροφοδοσίας (DVFS) προσφέρει μια ευπροσάρμοστη προσέγγιση, επιτρέποντας αλλαγές στην τάση σε πραγματικό χρόνο σε απόκριση της μετατόπισης των απαιτήσεων απόδοσης.Αυτή η ευέλικτη στρατηγική επιτυγχάνει μια λεπτή ισορροπία μεταξύ της απόδοσης και της απόδοσης ενέργειας, με την κατανάλωση ενέργειας προσαρμοσμένη στην ένταση των εργασιών.Ιδιαίτερα κατάλληλα σε επεξεργαστές με ταχέως μεταβαλλόμενο φόρτο εργασίας, το DVFS απαιτεί έναν εξελιγμένο μηχανισμό ανάδρασης για την παρακολούθηση της απόδοσης του συστήματος και της χρήσης ενέργειας, παρέχοντας πολύτιμες γνώσεις για μελλοντικές βελτιώσεις.Η αίσθηση της αρμονίας στην εξισορρόπηση της απόδοσης με εξοικονόμηση ενέργειας μπορεί να προκαλέσει μια αίσθηση ικανοποίησης παρόμοια με την εξεύρεση ισορροπίας στις πολλές απαιτήσεις της ζωής.

Ζυγίζοντας πρακτικές εφαρμογές

Κατά την εφαρμογή αυτών των τεχνικών κλιμάκωσης τάσης, η αξιολόγηση των συμβιβασμών είναι απαραίτητη.Για παράδειγμα, η μείωση της τάσης τροφοδοσίας βελτιώνει την ενεργειακή απόδοση αλλά μπορεί επίσης να επιβραδύνει τις ταχύτητες λειτουργίας.Έτσι, η εξισορρόπηση της εξοικονόμησης ενέργειας με την απόδοση μέσω σχολαστικών δοκιμών συστήματος και επαναληπτικών βελτιώσεων γίνεται πρωταρχικής σημασίας.Επιπλέον, η ενσωμάτωση τεχνολογιών προσαρμογής τάσης ενισχύει αυτές τις μεθόδους προσαρμόζοντας τις συνθήκες του πραγματικού κόσμου.Αυτή η γενική στρατηγική υπογραμμίζει τη σημασία της προσαρμογής για τη βελτιστοποίηση των ηλεκτρονικών συστημάτων, υπογραμμίζοντας ότι η εύρεση της αποτελεσματικότητας είναι μια περίπλοκη σύντηξη θεωρητικής διορατικότητας και πρακτικής εφαρμογής.Καθώς η πορεία προς την απόδοση πλοηγείται, μπορεί κανείς να αισθανθεί ότι η πολυπλοκότητα αντικατοπτρίζεται στον λεπτό χορό μεταξύ της τεχνολογίας και των υποκείμενων ρυθμών της φύσης.

Επίδραση της στοίβαξης του τρανζίστορ

Αποκαλύπτοντας το φαινόμενο στοίβαξης

Η προσέγγιση της στοίβαξης του τρανζίστορ μειώνει αποτελεσματικά τη διαρροή υποθεμάτων σε μια σειρά τρανζίστορ.Αυτή η έννοια γίνεται πιο ενδιαφέρουσα όταν πολλαπλά τρανζίστορ απενεργοποιούνται ταυτόχρονα, καταγράφοντας την προσοχή μας και επιτακτική περαιτέρω εξερεύνηση.

Κατανόηση του μηχανισμού και των αποτελεσμάτων του

Η επίδραση της στοίβαξης προέρχεται από θετική τάση σε έναν ενδιάμεσο κόμβο, ο οποίος περιορίζει τη ροή του ρεύματος και αυξάνει την τάση κατωφλίου λόγω της προκύπτουσας αρνητικής τάσης όγκου προς πηγή.Είναι συναρπαστικό να σημειωθεί ότι η προσθήκη περισσότερων τρανζίστορ στη στοίβα ενισχύει περαιτέρω τη μείωση των διαρροών.Στο πλαίσιο των σχεδίων χαμηλής ισχύος, αυτή η διαμόρφωση είναι ανεκτίμητη, ειδικά όταν επιδιώκεται η ενεργειακή απόδοση παράλληλα με τη διατήρηση της ισχυρής απόδοσης.

Πρακτικές εφαρμογές σε σενάρια πραγματικού κόσμου

Οι μηχανικές λύσεις συχνά εκμεταλλεύονται το φαινόμενο στοίβαξης κατά το σχεδιασμό κυκλωμάτων με τρανζίστορ σε σειρά, αξιοποιώντας πλήρως τα οφέλη της για την ελαχιστοποίηση της διαρροής.Αυτό είναι ιδιαίτερα ευεργετικό σε τομείς όπως τα φορητά ηλεκτρονικά και οι απομακρυσμένοι αισθητήρες.Σε αυτούς τους τομείς, η επέκταση της διάρκειας ζωής της μπαταρίας και η εξασφάλιση της αξιοπιστίας της συσκευής θεωρούνται με μεγάλη εκτίμηση λόγω της σημαντικής επίδρασής τους στην ικανοποίηση των χρηστών.

Two NMOS Off-Transistor Stack

Εικόνα 5. Δύο στοίβα NMOS Off-Transistor

Ρυθμίσεις πάχους οξειδίου πύλης

Στόχοι κλιμάκωσης και προκλήσεις

Η μείωση του πάχους του οξειδίου της πύλης είναι μια εργασία που παρακινείται από την αναρρόφηση να ενισχύσει την ικανότητα της τρέχουσας κίνησης, ενώ ελαχιστοποιεί την τάση τροφοδοσίας.Επιπλέον, αυτή η στρατηγική στοχεύει στην άμβλυνση των αποτελεσμάτων μικρού καναλιού, συμπεριλαμβανομένης της μείωσης των φραγμών που προκαλείται από την αποχέτευση, η οποία μπορεί να επηρεάσει με ακρίβεια τη συμπεριφορά και την απόδοση των συσκευών.

Επιδράσεις της κλιμάκωσης

Καθώς το στρώμα οξειδίου γίνεται λεπτότερο, αναδύεται ένα ενισχυμένο ηλεκτρικό πεδίο.Αυτό το εντατικοποιημένο πεδίο, σε συνδυασμό με το μειωμένο πάχος οξειδίου, μπορεί να οδηγήσει στη δημιουργία ρεύματος διαρροής σήραγγας πύλης, το οποίο μπορεί να κινηθεί προς δύο κατευθύνσεις: από την πύλη προς την περιοχή επικάλυψης καναλιού και πηγής/αποστράγγισης ή αντιστρόφως από την πηγή/Αποστραγγίστε την περιοχή επικάλυψης στην πύλη.

Οπτική αναπαράσταση

Το παρακάτω διάγραμμα απεικονίζει τις οδούς του ρεύματος διαρροής οξειδίου της πύλης, παρουσιάζοντας τη ροή του από την πύλη προς το κανάλι και την περιοχή επικάλυψης πηγής ή αποστράγγισης στο (α) και την κίνηση του από την πηγή ή την περιοχή επικάλυψης αποστράγγισης στην πύλη στο (b).

Gate oxide leakage current from gate to channel and source or drain overlap area in (a) and rom source or drain overlap area to gate in (b)

Εικόνα 6. Ρεύμα διαρροής οξειδίου πύλης από πύλη σε κανάλι και πηγή ή αποστράγγιση περιοχή επικάλυψης σε (α) και ROM πηγή ή περιοχή επικάλυψης αποστράγγισης σε πύλη στο (b)

Εξερευνώντας τα υψηλά k διηλεκτρικά για την ενίσχυση της απόδοσης του τρανζίστορ

Η μείωση του ρεύματος διαρροής παρατηρείται με την υποκατάσταση του SiO2 με μια διηλεκτρική εναλλακτική πύλη, ένα κρίσιμο βήμα στην καινοτομία.Το τεταμένο Si επιτυγχάνεται μέσω της περίπλοκης διαδικασίας ενεργά τονίζοντας το πλέγμα πυριτίου.Αυτό το στέλεχος ενισχύει σημαντικά την αποτελεσματικότητα των τρανζίστορ ενισχύοντας την κινητικότητα των καναλιών, που επιτυγχάνεται μειώνοντας το βάρος του NMOS και το ποσοστό διασποράς των ηλεκτρονίων.Ταυτόχρονα, αυξάνει το ρυθμό διασποράς των PMOS και της ζώνης των οπών.Τέτοιες εξελίξεις αναφλέπουν το ενδιαφέρον λόγω του αντίκτυπού τους στη βελτίωση της λειτουργίας της συσκευής.

illustrates a comparison between conventional silicon and strained silicon.

Εικόνα 7: απεικονίζει μια σύγκριση μεταξύ συμβατικού πυριτίου και τεντωμένου πυρίτιο.

Μεροληψία του σώματος

Στη σφαίρα των ηλεκτρονικών, η διαχείριση του ρεύματος διαρροής είναι μια εργασία που απαιτεί μια ξεχωριστή κατανόηση των λεπτών δυνάμεων που παίζουν μέσα στα τρανζίστορ.Είναι ένας περίπλοκος χορός, αυτή η πράξη εφαρμόζοντας αντίστροφη προκατάληψη σώματος (RBB), μετατρέποντας το γαλήνιο αλλά πολύπλοκο τοπίο της λειτουργίας αναμονής.Αυτή η πρακτική λατρεύει την αρμονία μεταξύ των εξαρτημάτων, βελτιστοποιώντας την τάση κατωφλίου τους και ψιθυρίζοντας τις υποσχέσεις της αποτελεσματικότητας.

Η αντίστροφη μεροληψία του σώματος, που αγκαλιάζεται στο σχεδιασμό ολοκληρωμένων κυκλωμάτων (ICS), αναζητείται για τις δυνατότητες μείωσης της εξουσίας.Σε αυτή τη μέθοδο, γίνεται μια σκόπιμη επιλογή για την εφαρμογή μιας υψηλής αρνητικής τάσης μέσω μιας αντλίας φορτίου στο όγκο NMOS.Ταυτόχρονα, ο όγκος PMOS και το N θα βρουν τη σύνδεσή τους με τη σιδηροτροχιά VDD, μια γέφυρα που εξασφαλίζει τη συμμόρφωση με την επιθυμητή ηλεκτρική κατάσταση.Εδώ, κάθε επιλογή αντικατοπτρίζει μια βαθύτερη στρατηγική, μία επίγνωση του συχνά αόριστου χορού της ενέργειας.

Διανομή ρολογιού

Η κλιμάκωση της καθυστέρησης καλωδίων παράλληλα με την αύξηση της χωρητικότητας ανά περιοχή μονάδας ενισχύει τις προκλήσεις που σχετίζονται με την καθυστέρηση του ρολογιού και το κέρδος που απαιτείται για τα δίκτυα ρολογιών.Αυτό περιπλέκεται περαιτέρω από τις παραλλαγές στις διαδικασίες κατασκευής, τις διακυμάνσεις της θερμοκρασίας και τις αλλαγές τάσης, γεγονός που το καθιστά πολύ περίπλοκο για να διαχειριστεί αποτελεσματικά το Skew και το Jitter.

Εξετάστε, για παράδειγμα, όταν ένα ρολόι παρουσιάζει μια καθυστέρηση τεσσάρων κύκλων με διακύμανση καθυστέρησης 10%, έχει ως αποτέλεσμα το Skew και το Jitter που ανέρχονται στο 40% του χρόνου κύκλου του ρολογιού.Η μεταβλητότητα του jitter που προκαλείται από τον θόρυβο τροφοδοσίας μπορεί να επηρεάσει διαφορετικές περιοχές του τσιπ.

Υπάρχουν τέσσερις συζητούμενες μεθόδους διανομής ρολογιών:

- Κατανομή ρολογιού συντονισμού: Αυτή η μέθοδος παρουσιάζει μια εναλλακτική προσέγγιση, ενδεχομένως να μετριάσει την αναξιοπιστία του χρονισμού και τη μείωση της κατανάλωσης ενέργειας.

-Διανομή ρολογιού κύματος: Εφαρμοσμένη τόσο σε επίπεδα του σκάφους όσο και σε επίπεδα τσιπ, ο σχεδιασμός αυτός επιτυγχάνει χαμηλής περιεκτικότητας σε Skew και Low-Jitter, ενώ εξοικονομεί δύναμη λόγω του συντονισμού μεταξύ της χωρητικότητας ρολογιού και της επαγωγής των καλωδίων.

- Διανομή ρολογιού κύματος ταξιδιού: Χρησιμοποιώντας τους συζευγμένους δακτυλίους γραμμής μετάδοσης, αυτή η στρατηγική δημιουργεί ένα ρολόι με ελάχιστη λοξή και jitter, εκμεταλλευόμενοι επίσης τα οφέλη ισχύος που παρέχεται από τον συντονισμό.

- Διανομή παγκόσμιας κατανομής ρολογιού συντονισμού: Αυτή η τεχνική περιλαμβάνει τη δημιουργία μιας σταθερής φάσης και πλάτους της κυματομορφής ρολογιού αυξάνοντας το πλέγμα με επαγωγείς που αντηχούν με χωρητικότητα φορτίου ρολογιού.Σημαντικές μειώσεις στο jitter και στην κατανάλωση ενέργειας επιτυγχάνονται με την ελαχιστοποίηση της αντοχής των ρυθμιστικών ρολογιών που οδηγούν το φορτίο συντονισμού.

Σχετικό blog